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SiC-Leistungsmodul

Entdecken Sie die innovative SiC-Leistungshalbleitermodulserie von HIITIO, die die Leistung von Siliziumkarbid für Leistungselektronik der nächsten Generation nutzt. Diese Module bieten außergewöhnliche Effizienz, robustes Hochtemperaturverhalten und unübertroffene Zuverlässigkeit – perfekt für anspruchsvolle Anwendungen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und der Industrie.

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Sperrspannung (V)
Strom (A)
RDS(ein) (mΩ)
Tjmax (℃)
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Artikelnummer
Typ
Verpackung
Schaltbild
Sperrspannung (V)
Strom (A)
RDs(ein) (mΩ)
Tjmax (℃)
Spezifikationen
SiC/Si-Hybrid
Easy 2B
ANPC
1200
100
9.5
175
SiC
HPD
FT: Three phase
1200
600
2.5
175
SiC
HPD
FT: Three phase
1200
600
2
175
SiC
Easy 2B
Chopper
1200
200
3.9
175
SiC
Easy 2B
Chopper
1200
200
3.9
175
SiC
Easy 1B
FT: Three phase
1200
150
5.5
175
SiC-MOSFET
Easy 2B
2300
SiC
Easy 1B
Half Bridge
1200
150
6.2
175
SiC
Easy 2B
Half Bridge
1200
200
6
175
SiC
Easy 2B
Half Bridge
1200
200
6
175
SiC
Easy 2B
Half Bridge
1200
160
7.5
175
SiC
Easy 1B
FT: Three phase
1200
150
9
175
SiC
Easy 1B
Half Bridge
1200
100
10.1
175
SiC
62 mm
Half Bridge
1200
200
8.48
175
SiC
Econo Dual 3A
Half Bridge
1200
300
6.1
175
SiC
Econo Dual 3B
Half Bridge
1200
300
6.1
175
SiC
62 mm
Half Bridge
1700
300
6.7
175
SiC
Econo Dual 3A
Half Bridge
1700
300
6.7
175
SiC
Econo Dual 3B
Half Bridge
1700
400
4.5
175
SiC
Easy 1B
H-Bridge
1200
45
30
175
123

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