Hersteller von IGBT-Modulen und SIC-MOSFETs in China

Zu den Leistungshalbleiterprodukten von HIITIO gehören IGBTs, Hochvolt-IGBT-Module, SiC-Leistungsmodule, SiC/Si-Hybridmodule, und Schottky-Dioden. Diese Produkte zeichnen sich durch hohe Temperaturtoleranz, hohe Spannungstoleranz und hohe Frequenzgangeigenschaften aus, sodass sie in Elektrofahrzeugen, im Bereich erneuerbarer Energien und in der Industrie vielseitig einsetzbar sind.

HIITIO Halbleiter-Leistungsmodule

HIITIO bietet eine vielfältige Auswahl an IGBTs und MOSFETs mit verschiedenen Topologiestrukturen und Verpackungsformen, um Ihren Anforderungen gerecht zu werden.

SiC-Modul

Paket: 62mm, Easy 1B, Easy 2B, Econo Dual 3A, Econo Dual 3B, Econo Dual 3C, Flow0, HPD

Schaltplan: ANPC, Boost, Chopper, Dual Boost, Dreiphasig, H-Bridge, Half Bridge

Sperrspannung (V): 1200, 1400, 1700, 2200

IGBT-Modul

Paket: 34 mm, 62 mm, Easy 2B, Easy 3B, Econo Dual 3H, Econo PACK 2H, Econo PIM 2H, Econo PIM 3H

Schaltplan: Booster, Vollbrücke, 3-stufig, Dreiphasig, Half Bridge, PIM, six-pack

Sperrspannung (V): 650, 1000, 1100, 1200, 1700

Hochspannungs-IGBT

Paket:A/A2:190x140x48, E/E2:190x140x38, F/D:140x130x38, G:160x130x38, N/F/D:140x130x38, P:140x73x38, X:140x130x48, X1:144x100x40

Schaltplan: Chopper, Double switch, Half Bridge, Single Switch

Sperrspannung (V): 1700, 2400, 3300, 4500, 6500

SiC/Si-Hybridmodul

Paket:Econo Dual 3A, Econo PACK 2H, Flow0, HPD

Schaltplan: ANPC, Dual Boost, Dreiphasig, Half Bridge

Sperrspannung (V): 1200

SiC-Schottky-Diode

Paket: DFN8*8, SOT-227, TO-220-2, TO-220F-3, TO-247-2, TO-247-3, TO-247-4, TO-263-7

Sperrspannung (V): 650, 1200, 1700

Strom (A): 2,4,6,9,16,20,40,42,60,75,120

Individuelle Lösung

Wir bieten maßgeschneiderte Leistungsmodullösungen für verschiedene Anwendungsbereiche und nutzen dabei technologische Innovationen wie Chip-eingebettete Leiterplatten und doppelseitige Wärmeableitungsoptimierung. Diese Lösungen erfüllen die spezifischen Parameteranforderungen von Bereichen wie Fahrzeugen mit alternativer Antriebstechnologie.

Sehen, um zu glauben: HIITIOs vollautomatische Produktionslinie für Leistungsmodule

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Zhejiang HIITIO New Energy Co., Ltd. verfügt über mehr als 20 Jahre Erfahrung im Bereich Leistungselektronik und ein Team von über 70 Forschungs- und Entwicklungsingenieuren, um weltweit innovative Lösungen zur Energieumwandlung bereitzustellen.

Wir sind auf IGTB- und MOSFET-Module, Stromumwandlungssysteme und fortschrittliche Verpackungstechnologien spezialisiert und versorgen mit unseren Produkten Anwendungen wie Elektrofahrzeuge, Systeme für erneuerbare Energien und industrielle Motorantriebe mit Strom.

Nehmen Sie noch heute Kontakt mit uns auf, um Ihre Energiezukunft zu verändern!

Warum HIITIO

Skalierbare Produktionssicherung

HIITIO verfügt über eine Produktionsfläche von 3,100 m², darunter eine 1,500 m² große Produktionslinie für Leistungsmodule. Die Reinräume der Klasse 10,000 ermöglichen eine jährliche Kapazität von 300,000 Einheiten und decken damit den Bedarf an Großlieferungen in der Industrie und im Bereich der neuen Energien ab.

Erstklassige F&E-Kapazitäten

Unser F&E-Team besteht zu 50 % aus Master-/Ph.D.-Absolventen, wobei die Kernmitglieder im Durchschnitt über 10 Jahre Erfahrung in der Entwicklung von Leistungsmodulen verfügen. Sie haben erfolgreich eine vollständige Produktmatrix entwickelt, die Spannungsbereiche von 650 bis 1,700 V und Stromstärken von 10 bis 800 A abdeckt, einschließlich gängiger Topologien wie PIM/6er-Pack/Halbbrücke.

Qualitätssystem auf Militärniveau

Implementierung von 23 Qualitätskontrollpunkten, darunter eine 100%ige Röntgen-Hohlraumprüfung und dynamische/statische elektrische Leistungsprüfungen. Die Produkte entsprechen den Normen IEC-60747/60749/60068, und die SiC-Module halten Hochtemperaturbetrieb bis zu 200 °C stand.

Was zeichnet HIITIO aus?

Vorwärtsdesign-Funktion für den gesamten Prozess mit digitalem Zwilling

Durch eine virtuelle Simulationsplattform für das Vorwärtsdesign in mehreren physikalischen Feldern und Maßstäben können systematische Kopplungssimulationsanalysen vom Chip bis zum Modul mit Simulationsfehlern von weniger als 2 % realisiert werden, was die Produktzuverlässigkeit erheblich verbessert und den Entwicklungszyklus verkürzt.

Fortschrittliche Verpackungstechnologie und -verfahren

Durch den Einsatz von Nanosilber-Sintertechnologie (Scherkraft der Sinterverbindung um 112.43 % erhöht, spezifischer Widerstand um das Zehnfache reduziert), doppelseitigem Kühlmodul (Wärmewiderstand um 10 % reduziert) und Hochtemperatur-Verpackungstechnologie werden die Anforderungen an die hohe Sperrschichttemperatur von SiC in Automobilqualität erfüllt.

Intelligente Fertigung und vollautomatische Produktionslinie

Durch MES-System, visuelle Sensorik und Prozessverfolgungsaufzeichnungen, kombiniert mit Big Data aus der Produktion und maschinellem Lernen, wird eine intelligente, flexible Produktion mit einer Alterungstestabdeckung auf Modulebene von 100 % erreicht.

Qualitätssicherungssystem-Benchmarking der Branchenführer

Durch die Übernahme der gleichen Qualitätsmanagementstandards wie Mitsubishi und Huawei, kombiniert mit einer vollständigen Materialrückverfolgbarkeit und Sortierkontrolle, werden Produktkonsistenz und hohe Zuverlässigkeit gewährleistet.

Kostenkontrolle und lokalisierte Lieferkette

Durch das groß angelegte integrierte DCB-Substratdesign und die Anwendung von SiC-Substraten im Inland werden die Kosten für 1200-V-SiC-MOSFET-Module im Vergleich zu importierten Produkten um 35 % gesenkt und der Lieferzyklus auf 8 Wochen verkürzt.

Kundenspezifische Entwicklung neuer Energieanwendungen

Für Photovoltaik-/Energiespeichersysteme starten Sie NPC/ANPC Topologie-dedizierte Module, die 2-kV-SiC-MOSFET- und FRD-Chips integrieren, eine Systemleistung von bis zu 99.2 % und die AQG324-Zertifizierung für die Automobilindustrie bestanden haben.