Bei den Gate-Treiberkernen handelt es sich um einen von HIITIO eigenständig entwickelten Hochleistungs-Zweikanal-Treiberkern auf Basis intelligenter Chiptechnologie. Er unterstützt IGBT-Module mit Nennspannungen von 1200 V bis 3300 V. Dank des vereinfachten Peripherieschaltungsdesigns können Kunden IGBTs sicher und zuverlässig ansteuern, ohne dass zusätzlicher Aufwand für Treiber-Debugging oder -Tuning erforderlich ist.
| Produktteil-Nr. | Ausgangsleistung pro Kanal/ Gate-Spitzenstrom | Spannungsklasse | Querverweis | |
|---|---|---|---|---|
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H2SC0110 | 1W / 10A | 1200V | / |
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H2HC0215B1V | 2W / 15A | 1700V | / |
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H2HC0215 | 2W / 15A | 1700V | 2SC0108T |
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H2HC0435 | 4W / 35A | 1700V | 2SC0435T |
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H2HC0660 | 6W / 60A | 3300V | 2SC0535T |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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