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EHPD 1200 V 600 A SIC-Leistungsmodul

Das HCS02FT120H5A1S ist ein 3-Phasen-SiC-MOSFET-Leistungsmodul. Es integriert leistungsstarke SiC-MOSFET-Chips für xEV- oder Motorantriebsanwendungen.

SKU HCS02FT120H5A1S Kategorie

Beschreibung

Eigenschaften

  • Sperrspannung 1200V
  • RDS(ein)=2.5mΩ (VGS=18V, Tj=25°C)
  • 175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Si3N4 AMB-Substrat
  • Direkt gekühlte Pin Fin-Grundplatte
  • Thermistor innen
  • Presse FIT Kontakttechnik

Anwendungen

  • xEV-Anwendungen
  • Motorantriebe

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