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ED3 1200 V 600 A SIC-Leistungsmodul

Der HCS600FH120D3C1 ist ein Half Bridge SiC-MOSFET-Leistungsmodul. Es integriert leistungsstarke SiC-MOSFET-Chips, die für Anwendungen wie Motorantriebe und erneuerbare Energien entwickelt wurden.

SKU HCS600FH120D3C1 Kategorie

Beschreibung

Eigenschaften

  • Sperrspannung 1200V
  • RDS(ein) =3.2 m@VGS =18 V
  • Niedriger thermischer Widerstand mit Si3N4 AMB
  • 175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Thermistor im Inneren
  • Geringe Schaltverluste

Anwendungen

  • xEV-Anwendungen
  • Motorantriebe
  • Fahrzeug-Schnellladegeräte
  • Smart Grid/netzgekoppelte dezentrale Stromerzeugung

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