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E2 1200 V 200 A SIC-Leistungsmodul

Das HCS06FH120E2A2 ist ein Halbbrücken-SiC-MOSFET-Leistungsmodul. Es integriert leistungsstarke SiC-MOSFET-Chips, die für Anwendungen wie Solarwechselrichter, USV-Systeme, Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler und Energiespeichersysteme entwickelt wurden.

SKU HCS06FH120E2A2 Kategorie

Beschreibung

Eigenschaften

  • Sperrspannung: 1200V
  • Rds (ein): 6.0 mΩ
  • Geringe Schaltverluste
  • 175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Eingebauter Thermistor

Anwendungen

  • Solar-Wechselrichtersysteme
  • DC/DC-Wandler für Brennstoffzellen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Energiespeichersysteme

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