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E0 1200 V 45 A SIC-Leistungsmodul

Der HCS30FF120E1A1 ist ein half bridge SiC MOSFET Power Modul. Es integriert hohe
Leistungsstarke SiC-MOSFET-Chips für Anwendungen wie Solarwechselrichtersysteme, Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Energiespeichersysteme.

SKU HCS30FF120E1A1 Kategorie

Beschreibung

Eigenschaften

  • Sperrspannung: 1200 V
  • 30 mΩRds (ein) bei Tj = 25 °C
  • 46 mΩRds (ein) bei Tj = 175 °C
  • Geringe Schaltverluste
  • 175℃maximale Sperrschichttemperatur
  • Si3N4AMB
  • Thermistor im Inneren

Anwendungen

  • Solar-Wechselrichtersysteme
  • Brennstoffzellen-DC/DC Wandler
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Energiespeichersysteme
  • Halbleiterrelais

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