Das HCG770FT075H5T7L ist ein hochmodernes 750-V-IGBT-Modul. Entwickelt für anspruchsvolle Umgebungen, bietet dieses RoHS-konforme Modul außergewöhnliche Effizienz, Zuverlässigkeit und thermische Leistung. Es eignet sich ideal für Hybridfahrzeuge (HEV), Motorantriebe und Wechselrichtersysteme und kombiniert fortschrittliche Field-Stop-Trench-IGBT-Technologie mit integrierten Freilaufdioden und Temperatursensorik für einen reibungslosen Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von 185 °C.
IGBT-Wechselrichter
Absolute Maximalwerte (T = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter/Testbedingungen | Werte | Einheit | |
|---|---|---|---|---|
| VCES | Kollektor-Emitter-Spannung | Tvj = 25 °C | 750 | V |
| VGES | Gate-Emitter-Spannung | ± 20 | ||
| IC | DC-Kollektorstrom | TF=60℃,Tvjmax=185℃ | 270 | A |
| ICM | Wiederholter Spitzenkollektorstrom | tp=1ms | 900 | |
| Tvjmax | Max. Sperrschichttemperatur | 185 | ℃ | |
| P tot | Verlustleistung pro IGBT | TF=60℃,Tvjmax=185℃ | 735 | W |
Dioden-Wechselrichter
ABSOLUTE MAXIMALWERTE (T = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter/Testbedingungen | Werte | Einheit | |
|---|---|---|---|---|
| VRRM | Wiederholte Rückspannung | Tvj = 25 °C | 750 | V |
| IF(AV) | Durchschnittlicher Durchlassstrom | TF=60℃, Tvjmax=185℃ | 160 | A |
| IFRM | Wiederholter Spitzendurchlassstrom | tp=1ms | 900 | |
| Tvjmax | Max. Sperrschichttemperatur | 185 | ℃ | |

HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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