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650V 450A Easy 3B IGBT-Leistungsmodul

  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
  • DC-Kollektorstrom (ICDC ): 335A (T1/T4), 299A (T2/T3)
  • Wiederholter Spitzenkollektorstrom (ICRM): 900A (T1/T4), 640A (T2/T3)
  • Gesamtverlustleistung (Pbis): 442 W (T1/T4), 358 W (T2/T3)
  • Gate-Emitter-Spannung (VGHG): ±20V
  • Betriebsübergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
  • Thermischer Widerstand (RthJH): 0.215 K/W (T1/T4), 0.265 K/W (T2/T3)
SKU HCG450FL065E3RE Kategorie

Beschreibung

Der HCG450FL065E3RE ist ein hocheffizientes 650V 450A IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., das speziell für I-Typ 3-Level NPC-Wechselrichteranwendungen entwickelt wurde. Dank der Trench-Gate/Field-Stop-Technologie liefert es niedrige VCESat, reduzierte Schaltverluste und ein positiver Temperaturkoeffizient für optimale Leistung. Das Modul verfügt über eine Al2O3 Substrat für niedrigen Wärmewiderstand, ein kompaktes Design mit niedriger Induktivität und DBC-Technologie für hervorragende Wärmeableitung, wodurch die Zuverlässigkeit in Hochleistungssystemen gewährleistet wird.

Hauptmerkmale

  • 650 V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungswechselrichter.
  • Niedrig V.CESat & Schaltverluste: Verbessert die Effizienz bei Hochfrequenzvorgängen.
  • Al2O3 Substrat: Bietet niedrigen Wärmewiderstand für zuverlässige Leistung.
  • Kompaktes Design mit niedriger Induktivität: Minimiert elektromagnetische Störungen und verbessert die Stabilität.
  • DBC-Technologie: Verbessert die Wärmeableitung für eine längere Lebensdauer.
  • Breite Anwendungen: Geeignet für USV-, Solar-, APF/SVG- und 3-Level-Systeme.

Anwendungen

  • 3-Level-Anwendungen
  • PCS
  • USV-Anlagen
  • Solar-Anwendungen
  • APF/SVG

Abmessungen (mm)

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