650V 450A Easy 3B IGBT-Leistungsmodul
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- DC-Kollektorstrom (ICDC ): 346A (T1/T4), 271A (T2/T3)
- Wiederholter Spitzenkollektorstrom (ICRM): 900A
- Gesamtverlustleistung (Pbis): 470 W (T1/T4), 339 W (T2/T3)
- Gate-Emitter-Spannung (VGHG): ±20V
- Betriebsübergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
- Thermischer Widerstand (RthJH): 0.202 K/W (T1/T4), 0.231 K/W (T2/T3)
Beschreibung
Der HCG450FL065E3RD ist ein leistungsstarkes 650V 450A IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., das für I-Typ 3-Level NPC-Wechselrichteranwendungen entwickelt wurde. Dank fortschrittlicher Trench-Gate/Field-Stop-Technologie bietet es niedrige VCESat, minimale Schaltverluste und ein positiver Temperaturkoeffizient für höchste Effizienz. Das Modul verfügt über einen Al2O3 Substrat für geringen Wärmewiderstand, ein kompaktes Design mit niedriger Induktivität und DBC-Technologie für verbesserte Wärmeableitung, um Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen zu gewährleisten.
Hauptmerkmale
- 650 V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungswechselrichter.
- Niedrig V.CESat & Schaltverluste: Boosts Effizienz im Hochfrequenzbetrieb.
- Al2O3 Substrat: Sorgt für einen niedrigen Wärmewiderstand und zuverlässige Leistung.
- Kompaktes Design mit niedriger Induktivität: Reduziert elektromagnetische Störungen und verbessert die Stabilität.
- DBC-Technologie: Verbessert die Wärmeableitung für längere Haltbarkeit.
- Breite Anwendungen: Ideal für USV, Solar, APF/SVG und 3-Level-Systeme.
Anwendungen
- 3-Level-Anwendungen
- PCS
- USV-Anlagen
- Solar-Anwendungen
- APF/SVG
Abmessungen (mm)
