650V 375A Easy 3B IGBT-Leistungsmodul
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- DC-Kollektorstrom (ICDC ): 285A
- Wiederholter Spitzenkollektorstrom (ICRM): 750A
- Gesamtverlustleistung (Pbis): 380W
- Gate-Emitter-Spannung (VGHG): ±20V
- Betriebsübergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
- Isolationsspannung (Visoliert): 3.0 kV RMS
Beschreibung
Der HCG375FL065E3RC ist ein hocheffizientes 650V 375A IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., das für 3-Level-NPC-Wechselrichteranwendungen entwickelt wurde. Dank der fortschrittlichen Trench-Gate/Field-Stop-Technologie zeichnet es sich durch niedrige V aus.CESat, geringe Schaltverluste und ein positiver Temperaturkoeffizient für verbesserte Leistung. Das Modul integriert einen Gleichstromkondensator, Al2O3 Substrat für geringen Wärmewiderstand und DBC-Technologie für einen isolierten Kühlkörper, der ein ausgezeichnetes Wärmemanagement und Zuverlässigkeit gewährleistet.
Hauptmerkmale
- 650 V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungswechselrichter.
- Niedrig V.CESat & Schaltverluste: Maximiert die Effizienz bei Hochfrequenzvorgängen.
- Integrierter DC-Kondensator: Verbessert die Schaltungsstabilität.
- Al2O3 Substrat- und DBC-Technologie: Überlegene Wärmeleitfähigkeit und Isolierung.
- Niedriginduktives Design: Minimiert elektromagnetische Störungen für einen stabilen Betrieb.
- Breite Anwendungen: Geeignet für PCS-, USV-, Solar- und APF/SVG-Systeme.
Anwendungen
- 3-Level-Anwendungen
- PCS
- USV-Anlagen
- Solar-Anwendungen
- APF/SVG
Abmessungen (mm)
