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650V 375A Easy 3B IGBT-Leistungsmodul

  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
  • DC-Kollektorstrom (ICDC ): 285A
  • Wiederholter Spitzenkollektorstrom (ICRM): 750A
  • Gesamtverlustleistung (Pbis): 380W
  • Gate-Emitter-Spannung (VGHG): ±20V
  • Betriebsübergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
  • Isolationsspannung (Visoliert): 3.0 kV RMS
SKU HCG375FL065E3RC Kategorie

Beschreibung

Die HCG375FL065E3RC ist ein hocheffizientes 650V 375A IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., das für 3-Level-NPC-Wechselrichteranwendungen entwickelt wurde. Dank der fortschrittlichen Trench-Gate/Field-Stop-Technologie zeichnet es sich durch niedrige V aus.CESat, geringe Schaltverluste und ein positiver Temperaturkoeffizient für verbesserte Leistung. Das Modul integriert einen Gleichstromkondensator, Al2O3 Substrat für geringen Wärmewiderstand und DBC-Technologie für einen isolierten Kühlkörper, der ein ausgezeichnetes Wärmemanagement und Zuverlässigkeit gewährleistet.

Hauptmerkmale

  • 650 V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungswechselrichter.
  • Niedrig V.CESat & Schaltverluste: Maximiert die Effizienz bei Hochfrequenzvorgängen.
  • Integrierter DC-Kondensator: Verbessert die Schaltungsstabilität.
  • Al2O3 Substrat- und DBC-Technologie: Überlegene Wärmeleitfähigkeit und Isolierung.
  • Niedriginduktives Design: Minimiert elektromagnetische Störungen für einen stabilen Betrieb.
  • Breite Anwendungen: Geeignet für PCS-, USV-, Solar- und APF/SVG-Systeme.

Anwendungen

  • 3-Level-Anwendungen
  • PCS
  • USV-Anlagen
  • Solar-Anwendungen
  • APF/SVG

Abmessungen (mm)

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