650 V, 150 A IGBT-Leistung
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- DC-Kollektorstrom (ICDC ): 125A
- Wiederholter Spitzenkollektorstrom (ICRM): 300A
- Gesamtverlustleistung (Pbis): 173W
- Gate-Emitter-Spannung (VGHG): ±20V
- Betriebsübergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
- Isolationsspannung (Visoliert): 3.0 kV RMS
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Beschreibung
Der HCG150FL065E2RB ist ein robustes 650-V-150-A-IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd. für Hochleistungsanwendungen. Dank des 650-V-Trench-Gate/Field-Stop-Verfahrens bietet es geringe elektromagnetische Störungen, reduzierte Schaltverluste und einen positiven VCEsat-Temperaturkoeffizienten für stabile Leistung. Sein Al2O3-Substrat sorgt für einen niedrigen Wärmewiderstand und verbessert die Wärmeableitung in anspruchsvollen Umgebungen.
Hauptmerkmale
- 650-V-Trench-Gate/Field-Stop-Technologie: Minimiert elektromagnetische Störungen und maximiert die Effizienz.
- Geringe Schaltverluste: Optimiert die Leistung bei Hochfrequenzvorgängen.
- Positives VCESat Temperaturkoeffizient: Gewährleistet einen konstanten Betrieb bei allen Temperaturen.
- Al2O3 Substrat: Niedriger Wärmewiderstand für effektives Wärmemanagement.
- Robustes und kompaktes Design: Integrierte Klemmen für eine einfache und dauerhafte Montage.
- Vielseitige Anwendungen: Perfekt für 3-Level-Systeme, PCS, USV und mehr.
Anwendungen
- 3-Level-Anwendungen
- PCS
- USV-Anlagen
- Solar-Anwendungen
Abmessungen (mm)
