650 V, 100 A IGBT-Leistung
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- DC-Kollektorstrom (ICN): 100A
- Wiederholter Spitzenkollektorstrom (ICRM): 200A
- Verlustleistung (Pbis): 135W
- Gate-Emitter-Spannung (VGHG): ±20V
- Betriebsübergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
Beschreibung
Der HCG100FL065E2RB ist ein leistungsstarkes 650-V-100-A-IGBT-Modul für anspruchsvolle Leistungselektronikanwendungen. Das von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd. entwickelte Modul nutzt ein 650-V-Trench-Gate/Field-Stop-Verfahren für niedrige elektromagnetische Störungen, reduzierte Schaltverluste und einen positiven Temperaturkoeffizienten für V.CESat. Sein kompaktes Design mit einem Al2O3 Substrat mit geringem Wärmewiderstand sorgt für effiziente Wärmeableitung und zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.
Hauptmerkmale
- 650-V-Trench-Gate/Field-Stop-Technologie: Optimiert für geringe elektromagnetische Störungen und hohe Effizienz.
- Geringe Schaltverluste: Verbessert die Energieeffizienz bei Hochfrequenzanwendungen.
- Positiver VCEsat-Temperaturkoeffizient: Gewährleistet eine stabile Leistung in allen Temperaturbereichen.
- Al2O3-Substrat: Bietet geringen Wärmewiderstand für optimales Wärmemanagement.
- Kompaktes und robustes Design: Integrierte Befestigungsklemmen für eine einfache und sichere Installation.
- Breites Anwendungsspektrum: Geeignet für 3-Level-Systeme, PCS, USV und mehr.
Anwendungen
- 3-Level-Anwendungen
- PCS
- USV-Anlagen
- Solar-Anwendungen
Abmessungen (mm)
