Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul HCGM250P2SM65-PSA011 (6500 V/250 A) verfügt über eine AISiC-Grundplatte, AIN-Substrate, eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 10 μs und gewährleistet so eine effiziente Kühlung und Stabilität für Traktionsantriebe, Motorsteuerungen, Smart Grids und hochzuverlässige Wechselrichter.
Der HCGM250P2SM65-PSA011 Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul ist für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen ausgelegt und 6500V / 250A. Dieses Hemd hat ein AISiC-Grundplatte und AIN-Substratesorgt für ein hervorragendes Wärmemanagement und Systemstabilität. Mit hohe Temperaturwechselbeständigkeitgarantiert dieses Modul Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen, während seine 10μs Kurzschlussfestigkeit verbessert den Stromkreisschutz und ist daher die ideale Wahl für Traktionsantriebe, Motorsteuerungen, intelligente Stromnetze und hochzuverlässige Wechselrichter.
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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