Das HCG400FH120A2RB ist ein leistungsstarkes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) für anspruchsvolle Anwendungen, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einem kontinuierlichen Kollektor-Gleichstrom von 400 A bietet dieses Modul außergewöhnliche Leistung in verschiedenen Stromumwandlungssystemen.
Hauptmerkmale
Dieses IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen mit hohem Wirkungsgrad konzipiert und eine ausgezeichnete Wahl für Branchen, die auf eine stabile und robuste Leistung angewiesen sind.
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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