Der HCG3000S450S1K1 stellt den Höhepunkt der IGBT-Technologie dar und bietet die höchste Stromstärke unserer 4500-V-Familie. Dieses Presspack-Modul ist für die anspruchsvollsten Hochleistungsanwendungen in erneuerbaren Energien und Stromübertragungssystemen konzipiert.
| Parameter | Symbol | Nutzungsbedingungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE = 0 V, Tvj = 25 °C | 4500 | V |
| DC-Kollektorstrom | lc | Tc = 100 °C, Tvj = 150 °C | 3000 | A |
| Spitzenkollektorstrom | CM | tp=1ms | 6000 | A |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ± 20 | V | |
| Gesamtverlustleistung | Ptot | Tc = 25 °C, Tvj = 150 °C | 31200 | W |
| DC-Durchlassstrom | IF | 3000 | A | |
| Spitzenvorwärtsstrom | IFRM | tp=1ms | 6000 | A |
| Stoßstrom | IFSM | VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp=10ms,Halbsinuswelle |
21000 | A |
| IGBT-Kurzschluss-SOA | tpsc | Vcc = 3400 V, VCEM-CHIP ≤ 4500 V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
10 | μs |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvj(max) | 125 | ℃ | |
| Betriebstemperatur der Verbindungsstelle | Fernseher | -40 ~ 125 | ℃ | |
| Gehäusetemperatur | Tc | -40 ~ 125 | ℃ | |
| Temperatur | Tstg | -40 ~ 70 | ℃ | |
| Montagekraft | FM | 80 bis 100 | kN |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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