Das HCG2000S450S2K1 ist ein IGBT-Modul in Industriequalität, das speziell für Ultrahochspannungsanwendungen entwickelt wurde. Dank Presspack-Technologie und fortschrittlicher planarer Gate-Struktur bietet dieses Modul unübertroffene Leistung in HGÜ- und erneuerbaren Energiesystemen.
| Parameter | Symbol | Nutzungsbedingungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE = 0 V, Tvj = 25 °C | 4500 | V |
| DC-Kollektorstrom | lc | Tc = 100 °C, Tvj = 150 °C | 2000 | A |
| Spitzenkollektorstrom | CM | tp=1ms | 4000 | A |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ± 20 | V | |
| Gesamtverlustleistung | Ptot | Tc = 25 °C, Tvj = 150 °C | 20800 | W |
| DC-Durchlassstrom | IF | 2000 | A | |
| Spitzenvorwärtsstrom | IFRM | tp=1ms | 4000 | A |
| Stoßstrom | IFSM | VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp=10ms,Halbsinuswelle |
14000 | A |
| IGBT-Kurzschluss-SOA | tpsc | Vcc = 3400 V, VCEM-CHIP ≤ 4500 V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 150 °C |
10 | μs |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvj(max) | 125 | ℃ | |
| Betriebstemperatur der Verbindungsstelle | Fernseher | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Gehäusetemperatur | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatur | Tstg | -40 ~ 125 | ℃ | |
| Montagekraft | FM | 60 bis 75 | kN |
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