Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul HCGM1200ESM45-PSA011 (4500 V/1200 A) verfügt über eine AlSiC-Grundplatte, AIN-Substrate, hohe Wärmezyklusfähigkeit, niedrige Vce(sat) und 10 μs Kurzschlussfestigkeit und gewährleistet so eine effiziente Kühlung und Stabilität für Traktionsantriebe, Motorsteuerungen, Smart Grids und hochzuverlässige Wechselrichter.
Der HCGM1200ESM45-PSA011 Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul ist für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen ausgelegt und 4500V / 1200A. Dieses Hemd hat ein AlSiC-Grundplatte und AIN-Substratesorgt für ein hervorragendes Wärmemanagement und eine hervorragende elektrische Leistung. Mit hohe Temperaturwechselbeständigkeit und 10μs KurzschlussfestigkeitDieses Modul garantiert einen stabilen Betrieb unter extremen Bedingungen. Das Design mit niedrigem Vce(sat) reduziert Leistungsverluste, während die hohe Stromdichte die Leistungshandhabungskapazität verbessert. Damit ist es die ideale Wahl für Traktionsantriebe, Motorsteuerung, Smart Grids und hochzuverlässige Wechselrichter.
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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