Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul HCGM1200ASM45-PSA011 (4500 V/1200 A) verfügt über eine AlSiC-Grundplatte, AIN-Substrate, hohe Wärmezyklusfähigkeit, niedrige Vce(sat) und 10 μs Kurzschlussfestigkeit und gewährleistet so eine effiziente Kühlung und Zuverlässigkeit für Traktionsantriebe, Motorsteuerungen, Smart Grids und hochzuverlässige Wechselrichter.
Die HCGM1200ASM45-PSA011 Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul ist für Hochleistungsanwendungen ausgelegt und bietet 4500V / 1200A, die eine hervorragende Effizienz bei der Energieumwandlung bietet. AlSiC-Grundplatte und AIN-Substratesorgt für ein hervorragendes Wärmemanagement. Mit hohe Temperaturwechselbeständigkeit und 10μs Kurzschlussfestigkeit, verbessert es die Zuverlässigkeit und Stabilität des Systems. Darüber hinaus enthält dieses Modul eine Gerät mit niedrigem Vce(sat) und hohe Stromdichte Design, wodurch Leistungsverluste reduziert und die Effizienz optimiert werden.
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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