Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul HCGM1600N3SM33-TSA000 mit einer Nennleistung von 3300 V/1600 A verfügt über eine AISiC-Grundplatte und AIN-Substrate für überlegene Wärmeleistung und geringe Schaltverluste.
Der HCGM1600N3SM33-TSA000 Das Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodul ist für leistungsstarke und hochzuverlässige Industrieanwendungen konzipiert. Mit einem 3300V Nennspannung und 1600A Stromkapazität integriert dieses Modul AISiC-Grundplatte und AIN-Substrate, was ein hervorragendes Wärmemanagement und eine hervorragende elektrische Stabilität gewährleistet. geringe Schaltverluste und 10μs Kurzschlussfestigkeit, garantiert es eine effiziente Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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