Das HCG1500S330H2K1 repräsentiert die nächste Generation der Leistungshalbleitertechnologie und bietet überlegene Leistung in einem kompakten H-Gehäuse. Dieses Modul wurde für die anspruchsvollsten Leistungsumwandlungsanwendungen entwickelt.
| Parameter | Symbol | Nutzungsbedingungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE = 0 V, Tvj = 25 °C | 3300 | V |
| DC-Kollektorstrom | lc | Tc = 100 °C, Tvj = 150 °C | 1500 | A |
| Spitzenkollektorstrom | CM | tp=1ms | 3000 | A |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ± 20 | V | |
| Gesamtverlustleistung | Ptot | Tc = 25 °C, Tvj = 150 °C | 16 | kW |
| DC-Durchlassstrom | IF | 1500 | A | |
| Spitzenvorwärtsstrom | IFRM | tp=1ms | 3000 | A |
| Stoßstrom | IFSM | VR = 0 V, Tvj = 150 °C,
tp=10ms,Halbsinuswelle |
13500 | A |
| IGBT-Kurzschluss-SOA | tpsc | Vcc = 2500 V, VCEM-CHIP ≤ 3300 V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 150 °C |
10 | μs |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvj(max) | 150 | ℃ | |
| Betriebstemperatur der Verbindungsstelle | Fernseher | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Gehäusetemperatur | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatur | Tstg | -40 ~ 125 | ℃ |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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