Das HCG1000S330H1K1 ist ein hochwertiges IGBT-Leistungsmodul für anspruchsvolle Hochleistungsanwendungen. Dank fortschrittlicher Planar-Gate-Technologie und Feldstoppstruktur bietet dieses Modul außergewöhnliche Leistung im Standard-H1-Gehäuse.
| Parameter | Symbol | Erkrankungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE = 0 V, Tvj = 25 °C | 3300 | V |
| DC-Kollektorstrom | lc | Tc = 100 °C, Tvj = 150 °C | 1000 | A |
| Spitzenkollektorstrom | CM | tp=1ms | 2000 | A |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ± 20 | V | |
| Gesamtverlustleistung | Ptot | Tc = 25 °C, Tvj = 150 °C | 10 | kW |
| DC-Durchlassstrom | IF | 1000 | A | |
| Spitzenvorwärtsstrom | IFRM | tp=1ms | 2000 | A |
| Stoßstrom | IFSM | VR=0V,Tvj=150℃,tp=10ms,Halbsinuswelle | 9000 | A |
| IGBT-Kurzschluss-SOA | tpsc | Vcc = 2500 V, VCEM CHIP≤3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 150 °C |
10 | μs |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvj(max) | 150 | ℃ | |
| Betriebstemperatur der Verbindungsstelle | Fernseher | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Gehäusetemperatur | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatur | T stg | -40 ~ 125 | ℃ |
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