Das HCS05FH230E2B2 ist ein hochmodernes SiC-MOSFET-Modul mit einer Nennspannung von 2300 V und einem extrem niedrigen Einschaltwiderstand von 5 mΩ. Es verfügt über eine Halbbrückentopologie mit Si₃N₄-AMB-Technologie und ist in einem Easy2B-Gehäuse untergebracht, das für effiziente Wärmeableitung und mechanische Festigkeit sorgt.
| MAXIMALE BEWERTUNGEN |
|||
| Rating | Symbol | Wert | Einheit |
| Drain-Source-Spannung | VDsS | 2300 | V |
| Gate-Source-Spannung | VGs | + 22 / -10 | V |
| Kontinuierlicher Drainstrom bei Tc = 80 (TJ = 175 °C) | IDS | 240 | A |
| Gepulster Drainstrom (TJ=175℃) | IDPulse | 300 | A |
| Maximale Leistungsabgabe bei Tc = 80 °C (TJ = 175 °C) | Ptot | 710 | W |
| Minimale Betriebstemperatur der Sperrschicht | TJMIN | -40 | ℃ |
| Maximale Betriebstemperatur der Sperrschicht | TJMAX | 175 | ℃ |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
Lösung
Unterstützung
Jahrelange Erfahrung
Länder und Gebiete
Kunden
㎡ Produktionsfabrik
Ich habe es gelesen
Stationen und Berichte
Klientow
㎡ Производственная fabrik
Laden Sie unseren Katalog herunter
