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1700 V Siliziumkarbid-Schottky

VDS = 1700 V
RDS (ein) = 750 mΩ (VGS = 15 V)
RDS (ein) = 550 mΩ (VGS = 20 V)
TJ, max = 175 ℃

SKU HCM2G0650170J Kategorie

Beschreibung

Eigenschaften

  • Hohe Sperrspannung
  • Niedriger Einschaltwiderstand bei hoher Sperrschichttemperatur
  • Schnelles Schalten mit niedrigen Kapazitäten
  • Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtsverzögerung (Qrr)
  • RoHS-konform

Vorteile

  • Höhere Systemeffizienz
  • Reduzieren Sie den Kühlbedarf
  • Höhere Leistungsdichte
  • Höhere Frequenz ermöglichen
  • Minimieren Sie das Klingeln am Gate
  • Reduzierung der Systemkomplexität und -kosten

Anwendungen

  • Schaltnetzteile
  • DC / DC-Wandler
  • Solar-Wechselrichter
  • Akku-Ladegeräte
  • Motorantriebe

Maximale Bewertungen

  • Tc = 25 °C, sofern nicht anders angegeben

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