Das HCG450FH170D3K4 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul mit 1700-V-Trench-Gate- und Feldstopp-Struktur, integrierter Freilaufdiode (FWD) und NTC-Thermistor. Mit einem Nennkollektorstrom von 450 A bietet es geringe Schaltverluste, hohe Zuverlässigkeit und ausgezeichnete Kurzschlussfestigkeit.
| Parameter | Symbol | Anforderungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | Tvj = 25 °C | 1700 | V |
| DC-Kollektorstrom | lc | Tc=105℃,Tvjmax=175℃ | 450 | A |
| Spitzenkollektorstrom | ICM | tp=1ms | 900 | A |
| Gate-Emitter-Spitzenspannung | VGES | ± 20 | V | |
| Maximale Verlustleistung | PD | Tc=25℃,Tvjmax=175℃ | 2500 | W |
| IGBT-Kurzschlussfestigkeit | tpsc | 10 | μs | |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvjmax | 175 | ℃ | |
| Betriebsübergangstemperatur | Tvjop | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Lagertemperatur | Tstg | -40 ~ 125 | ℃ |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
Lösung
Unterstützung
Jahrelange Erfahrung
Länder und Gebiete
Kunden
㎡ Produktionsfabrik
Ich habe es gelesen
Stationen und Berichte
Klientow
㎡ Производственная fabrik
Laden Sie unseren Katalog herunter
