Der HCGM3600E2SM17-TSA000 single switch Das IGBT-Modul verfügt über eine fortschrittliche AISiC-Grundplatte und AIN-Substrate und unterstützt Nennspannungen von 1700 V und 3600 A. Es bietet hervorragende thermische Zyklenbeständigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 10 μs und eignet sich daher ideal für Traktionsantriebe, Motorsteuerungen, Smart Grids und hochzuverlässige Wechselrichter.
Produktübersicht: Der HCGM3600E2SM17-TSA000 single switch Das IGBT-Modul nutzt modernste AISiC- und AIN-Technologie, die für Hochleistungs-Industrieanwendungen entwickelt wurde und eine stabile und effiziente Leistungsumwandlung ermöglicht.
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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