Das HCG1200FC170D3K5 ist ein leistungsstarkes 1700V 1200A IGBT-Modul mit einem chopper Struktur, konzipiert für industrielle Hochleistungsanwendungen. Es verfügt über ein E6-Gehäuse mit integrierter Freilaufdiode (FWD) und NTC-Thermistor und integriert fortschrittliche 1700-V-Trench-Gate- und Feldstopptechnologie für geringe Verluste, hohe Zuverlässigkeit und robusten Kurzschlussschutz. Dieses Modul eignet sich perfekt für effizientes Energiemanagement in erneuerbaren Energien und Industriesystemen.
| Parameter | Symbol | Anforderungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE=0V, Tvj=25°C | 1700 | V |
| DC-Kollektorstrom | IC | TC=95°C, Tvj max=175°C | 1200 | A |
| Spitzenkollektorstrom | ICM | tp=1ms | 2400 | A |
| Gate-Emitter-Spitzenspannung | VGES | - | ± 20 | V |
| Maximale Verlustleistung des IGBT | Ptot | TC=25°C, Tvj max=175°C | 5555 | W |
| Wiederholte Spitzenumkehrspannung | VRRM | Tvj = 25 °C | 1700 | V |
| Kontinuierlicher DC-Durchlassstrom (Brems-Chopper Diode) | IF | - | 600 | A |
| Kontinuierlicher DC-Durchlassstrom (Sperrdiode) | IF | - | 200 | A |
| Wiederkehrender Spitzendurchlassstrom (Brems-Chopper Diode) | IFRM | tp=1ms | 1200 | A |
| Wiederkehrender Spitzendurchlassstrom (Sperrdiode) | IFRM | tp=1ms | 400 | A |
| I²t-Wert (Brems-Chopper Diode) | Ich bin | VR=0V, tp=10ms, Tvj=125°C | 58650 | A²s |
| I²t-Wert (Sperrdiode) | Ich bin | VR=0V, tp=10ms, Tvj=125°C | 6615 | A²s |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvj max | - | 175 | ° C |
| Sperrschichttemperatur im Betrieb | Tvj op | - | -40 um 150 | ° C |
| Lagertemperatur | Tstg | - | -40 um 125 | ° C |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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