Das HCG600FH120D3K4D2 ist ein leistungsstarkes 1200-V-600-A-IGBT-Modul für anspruchsvolle Leistungselektronikanwendungen. Dank des E6-Gehäuses mit integrierter Freilaufdiode (FWD) und NTC-Thermistor gewährleistet dieses Modul einen effizienten und zuverlässigen Betrieb in Hochleistungssystemen.
| Parameter | Symbol | Anforderungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE=OV,Tvj=25℃ | 1200 | V |
| DC-Kollektorstrom | Ic | Tc=115℃, Tyj,max=175℃ | 600 | A |
| Spitzenkollektorstrom | ICM | tp=1ms | 1200 | A |
| Gate-Emitter-Spitzenspannung | VGES | ± 20 | V | |
| Gesamtverlustleistung | Ptot | Tc = 25 °C, Tvj,max = 175 °C | 3950 | W |
| Wiederholte Spitzensperrspannung | VRRM | Tvj = 25 °C | 1200 | V |
| Kontinuierlicher DC-Durchlassstrom | IF | 600 | A | |
| Wiederholter Spitzendurchlassstrom | IFRM | tp=1ms | 1200 | A |
| Rt-Wert | 12 t | VR=0V,tp=10ms,Tv=125℃ | 51000 | A2s |
| IGBT-Kurzschlussfestigkeit | tpsc | 10 | μs | |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvjmax | 175 | ℃ | |
| Betriebsübergangstemperatur | Tvjop | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Lagertemperatur | tst | -40 ~ 125 | ℃ |


HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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