Die HCG450FH120D3K4 IGBT-Modul von HIITIO ist ein leistungsstarkes 1200-V-, 450-A-Leistungshalbleitergerät im E6-Gehäuse. Dieses Modul zeichnet sich durch geringe Schaltverluste, hohe Zuverlässigkeit und einen positiven Temperaturkoeffizienten aus und integriert eine Freilaufdiode (FWD) und einen NTC für eine effiziente Wärmeüberwachung.
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 1200 | V |
| DC-Kollektorstrom, Tc=100℃ | Ic | 450 | A |
| Spitzenkollektorstrom, tp=1ms | ICM | 900 | A |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ± 20 | V |
| Dioden-Durchlassstrom | IF | 450 | A |
| Dioden-Spitzendurchlassstrom, tp=1ms | IFRM | 900 | A |
| Maximale Verlustleistung des IGBT | PD | 2080 | W |
| IGBT-Kurzschlussfestigkeitszeit | tsc | 10 | μs |
| Maximale Sperrschichttemperatur | Tvj, max | 175 | ℃ |
| Sperrschichttemperatur im Betrieb | Tvj, op | -40 ~ 150 | ℃ |
| Lagertemperaturbereich | Tstg | -40 ~ 125 | ℃ |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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