Der HCM32S12T4K2B ist ein 1200V 32mΩ Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET in einem TO-247-4L-Gehäuse, entwickelt für hocheffiziente und zuverlässige Anwendungen. Basierend auf der SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation bietet es niedrigen Einschaltwiderstand, schnelles Schalten und hervorragende Wärmeleistung.
| Parameter | Symbol | Anforderungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung | VDS max | VGs=0V,Ip=100μA | 1200 | V |
| Gate-Source-Spannung | VGS max | Absolute Maximalwerte | -10 / + 22 | V |
| VGS op | Empfohlene Betriebswerte | -5 / + 18 | V | |
| Kontinuierlicher Drainstrom | ID | VGs = 18 V, Tc = 25 °C | 90 | A |
| VGs = 18 V, Tc = 100 °C | 64 | |||
| Gepulster Drainstrom | ID-Impuls | Pulsbreite tp begrenzt durch Tvjmax | 270 | A |
| Energieverschwendung | PD | Tc=25℃, Tvjmax=175℃ | 417 | W |
| Betriebsübergangstemperatur | Tvjop | -55 ~ 175 | ℃ | |
| Temperaturbereich zur Lagerung | Tstg | -55 ~ 175 | ℃ |
HIITIO® wurde 2018 gegründet, als Hecheng Electric ein erfahrenes Forschungs- und Entwicklungsteam einführte. HIITIO ist auf die Herstellung von Hochspannungs-Gleichstromgeräten für Elektrofahrzeuge, Solarenergiesysteme und Energiespeicheranwendungen spezialisiert.
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