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Entwickler und Hersteller diskreter SIC-Leistungsmodule für Leistungselektronikanwendungen

E2 Modul
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Sperrspannung (V)
Strom (A)
RDS(ein) (mΩ)
Tjmax (℃)
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Artikelnummer
Typ
Paket
Schaltbild
Sperrspannung (V)
Strom (A)
RDs(ein) (mΩ)
Tjmax (℃)
Spezifikationen
HCD5G02120A
SiC SBD
TO-220-2
1200
2
159
HCD5G02120A
SiC SBD
TO-220-2
650
4
153
HCD5G06065M
SiC SBD
DFN8 * 8
650
6
159
HCD5G120120P
SiC SBD
SOT-227
1200
120
108
HCD5G16120D
SiC SBD
TO-247-3
1200
16
155
HCD5G16120D
SiC SBD
TO-247-3
1200
20
152
HCD5G20120H
SiC SBD
TO-247-2
1200
20
150
HCD5G16120D
SiC SBD
TO-247-3
1200
40
151
HCD5G20120H
SiC SBD
TO-247-2
1200
40
155
HCD5G20120H
SiC SBD
TO-247-2
1200
60
144
HCD5G16120D
SiC-MOSFET
TO-247-3
1200
75
37
HCM2G0040120K
SiC-MOSFET
TO-247-4
1200
75
37
HCD5G16120D
SiC-MOSFET
TO-247-3
1200
42
75
HCM2G0040120K
SiC-MOSFET
TO-247-4
1200
42
75
HCD5G16120D
SiC-MOSFET
TO-247-3
1700
9
650
HCM2G0650170F
SiC-MOSFET
TO-220F-3
1700
175
HCM2G0650170J
SiC-MOSFET
TO-263-7
1700
175

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