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E0 1200 V 100 A SIC-Leistungsmodul

Das HCS10FH120E1A2 ist ein Halbbrücken-SiC-MOSFET-Leistungsmodul. Es integriert hohe
Leistungsstarke SiC-MOSFET-Chips für Anwendungen wie Solarwechselrichtersysteme, Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Energiespeichersysteme.

SKU HCS10FH120E1A2 Kategorie

Beschreibung

Eigenschaften

  • Sperrspannung: 1200 V
  • Rds(ein)=10.1mΩ
  • Geringe Schaltverluste
  • 175℃maximale Sperrschichttemperatur
  • Thermistor im Inneren

Anwendungen

  • Solar-Wechselrichtersysteme
  • Brennstoffzellen-DC/DC Wandler
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Energiespeichersysteme

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