SiC-Schottky-Diode
Diskrete SiC-Schottky-Diode sind auf hohe Effizienz und präzise Steuerung ausgelegt und zeichnen sich durch hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, Spannungstoleranz und Hochfrequenzverhalten aus. Sie werden häufig in der industriellen Automatisierung, der Automobilelektronik und in Energiemanagementsystemen eingesetzt und bieten stabile und effiziente Lösungen zur Energieumwandlung.
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Bild | Artikelnummer | Typ | Paket | Schaltbild | Sperrspannung (V) | Strom (A) | RDs(ein) (mΩ) | Tjmax (℃) | Technische Daten |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiC SBD | TO-220-2 | 1200 | 2 | 159 | ||||
| SiC SBD | TO-220-2 | 650 | 4 | 153 | ||||
 | SiC SBD | DFN8*8 | 650 | 6 | 159 | ||||
 | SiC SBD | SOT-227 | 1200 | 120 | 108 | ||||
 | SiC SBD | TO-247-3 | 1200 | 16 | 155 | ||||
| SiC SBD | TO-247-3 | 1200 | 20 | 152 | ||||
 | SiC SBD | TO-247-2 | 1200 | 20 | 150 | ||||
| SiC SBD | TO-247-3 | 1200 | 40 | 151 | ||||
| SiC SBD | TO-247-2 | 1200 | 40 | 155 | ||||
| SiC SBD | TO-247-2 | 1200 | 60 | 144 | ||||
| SiC-MOSFET | TO-247-3 | 1200 | 75 | 37 | ||||
 | SiC-MOSFET | TO-247-4 | 1200 | 75 | 37 | ||||
| SiC-MOSFET | TO-247-3 | 1200 | 42 | 75 | ||||
| SiC-MOSFET | TO-247-4 | 1200 | 42 | 75 | ||||
| SiC-MOSFET | TO-247-3 | 1700 | 9 | 650 | ||||
 | SiC-MOSFET | TO-220F-3 | 1700 | 175 | |||||
 | SiC-MOSFET | TO-263-7 | 1700 | 175 |
